HMDS的化學(xué)名稱(chēng)為六甲基二硅胺或氮烷, 外觀(guān)是無(wú)色透明液體，無(wú)懸浮物及機械雜質(zhì)。含量(%) :≥ 99.0，密 度(P20),g/cm3 ： 0.774±0.003 ，折光率 (nD25 ) ： 1.408±0.002 ，爆炸下限% :0.8%
HMDS主要用途：
盤(pán)尼西林、頭孢霉素、氟尿嘧啶及各種青霉素衍生物等
硅藻土、硅石、鈦等粉末的表面處理。
半導體工業(yè)中光致刻蝕劑的粘結助劑。
下面我們來(lái)重點(diǎn)講下其中一項用途:半導體工業(yè)中光致刻蝕劑的粘結助劑。
先大家都知道,在半導體生產(chǎn)工藝中，光刻是集成電路圖形轉移重要的一個(gè)工藝環(huán)節，涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量，涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數光刻膠是疏水的，而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的，這造成光刻膠和硅片的黏合性較差，尤其是正膠，顯影時(shí)顯影液會(huì )侵入光刻膠和硅片的連接處，容易造成漂條、浮膠等，導致光刻圖形轉移的失敗，同時(shí)濕法腐蝕容易發(fā)生側向腐蝕。而增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)就可以很好地改善這種狀況。將HMDS涂到硅片表面后，經(jīng)烘箱加溫可反應生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?，其疏水基可很好地與光刻膠結合，起著(zhù)偶聯(lián)劑的作用。
和呈HMDS烘箱的一般工作流程：
先確定烘箱工作溫度。典型的預處理程序為：打開(kāi)真空泵抽真空，待腔內真牢度達到某一高真空度后，開(kāi)始充人氮氣，充到達到某低真空度后，再次進(jìn)行抽真空、充入氮氣的過(guò)程，到達設定的充入氮氣次數后，開(kāi)始保持一段時(shí)間，使硅片充分受熱，減少硅片表面的水分。然后再次開(kāi)始抽真空，充入HMDS氣體，在到達設定時(shí)間后，停止充入 HMDS藥液，進(jìn)入保持階段，使硅片充分與HMDS反應。當達到設定的保持時(shí)間后，再次開(kāi)始抽真空。充入氮氣，完成整個(gè)作業(yè)過(guò)程。
HMDS與硅片反應機理如圖：先加熱到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS與表面的OH一反應，在硅片表而生成硅醚，消除氫鍵作，從而使極性表面變成非極性表面。整個(gè)反應持續到空間位阻(三甲基硅烷基較大)阻止其進(jìn)一步反應。
